29장: 전류에 의한 자기장
Magnetic Fields Due to Currents
지난 장과 이번 장
28장에서는 주어진 자기장 속에서 움직이는 전하와 전류가 받는 힘을 배웠다.
F=qv×B,F=iL×B
이번 장에서는 질문을 뒤집는다.
그 자기장은 애초에 누가 만드는가?
답: 움직이는 전하, 즉 전류가 자기장을 만든다. 전기와 자기는 동전의 양면이다.
외르스테드의 발견 (1820)
덴마크의 물리학자 외르스테드(Ørsted) 는 강의 도중 우연히, 전류가 흐르는 도선 옆에서 나침반 바늘이 움직이는 것을 발견했다.
- 전기 현상과 자기 현상이 서로 연결되어 있다는 최초의 실험적 증거
- 이 발견에서 출발한 전자기학(electromagnetism) 은 오늘날 모터, 발전기, 전자석, MRI, 핵융합 장치까지 이어진다
이번 장은 "전류 → 자기장"의 정량적인 법칙을 세우는 장이다.
이번 장의 로드맵
- 비오-사바르 법칙(Biot–Savart law) : 전류 조각이 만드는 자기장의 기본 법칙
- 적분으로 계산: 직선 도선, 원호, 전류 고리의 축
- 평행한 두 전류 사이의 힘 — 인력과 척력
- 암페어 법칙(Ampère's law) : 대칭성이 좋을 때의 지름길 (가우스 법칙의 자기 버전)
- 솔레노이드와 토로이드 — 균일한 자기장을 만드는 장치
- 전류 고리 = 자기 쌍극자(magnetic dipole)
29.1 전류에 의한 자기장
전류 요소가 만드는 자기장
전하 요소 dq가 전기장을 만들듯이, 도선을 잘게 나눈 전류-길이 요소(current-length element) ids 가 자기장을 만든다.
거리 r 떨어진 점 P에서, 한 요소가 만드는 자기장의 크기 는:
dB=4πμ0r2idssinθ
- θ: ds 와 r^ (요소에서 P를 향하는 단위벡터) 사이의 각
- μ0: 투자율 상수(permeability constant)
μ0=4π×10−7 T⋅m/A≈1.26×10−6 T⋅m/A
비오-사바르 법칙
방향까지 포함한 벡터 형태가 비오-사바르 법칙(Biot–Savart law) 이다.
dB=4πμ0r2ids×r^
- dB의 방향은 벡터곱 ds×r^의 방향 (그림에서는 지면 안쪽 ⊗)
- 전체 자기장은 모든 요소의 기여를 적분(중첩) 해서 얻는다
쿨롱 법칙과 비교
비오-사바르 법칙은 쿨롱 법칙처럼 역제곱 법칙 이지만, 결정적인 차이가 있다.
| 전기장 (쿨롱) | 자기장 (비오-사바르) | |
|---|---|---|
| 원천 | 전하 요소 dq (스칼라) | 전류 요소 ids (벡터) |
| 거리 의존성 | 1/r2 | 1/r2 |
| 방향 | r^ 방향 (지름 방향) | ds×r^ 방향 (수직) |
- 전기장은 원천에서 뻗어나가는 방향, 자기장은 원천을 감아도는 방향
- ds와 r^이 나란하면(θ=0° 또는 180°) 그 요소의 기여는 0
긴 직선 도선의 자기장
비오-사바르 법칙을 적분하면 (잠시 후 유도), 전류 i가 흐르는 무한히 긴 직선 도선에서 수직 거리 R인 점의 자기장 크기는:
B=2πRμ0i(긴 직선 도선)
자기력선은 도선을 감싸는 동심원 이다. 기호 약속: ⊙ 는 지면에서 나오는 방향, ⊗ 는 지면으로 들어가는 방향.
오른손 법칙: 전류 → 자기장 방향
자기장의 크기 계산보다 어려운 것이 방향 찾기다. 다음 규칙 하나면 충분하다.
감아쥔 오른손 법칙(curled–straight right-hand rule) : 오른손 엄지를 전류 방향으로 향하게 도선을 감아쥐면, 나머지 네 손가락이 감기는 방향이 자기력선의 방향이다.
- 임의의 점에서 B는 그 점을 지나는 원의 접선 방향
- 도선과 점을 잇는 지름 방향 직선에 항상 수직
- 전류를 반대로 하면 자기장도 모든 곳에서 반대가 된다
철가루를 뿌리면 이 동심원 무늬가 실제로 나타난다.
유도: 직선 도선 (1) — 설정
무한 직선 도선에서 수직 거리 R인 점 P의 자기장을 비오-사바르 법칙으로 구하자.
- 도선 위 높이 s에 있는 요소 ids가 P에 만드는 장은 모두 같은 방향 (지면 안쪽 ⊗)
- 방향이 같으므로 크기만 적분하면 된다
유도: 직선 도선 (2) — 적분식 세우기
아래쪽 절반은 대칭에 의해 위쪽 절반과 똑같이 기여하므로, 위쪽 절반을 적분해서 2배 한다.
B=2∫0∞dB=2πμ0i∫0∞r2sinθ ds
변수 s, r, θ는 독립이 아니다. 그림의 기하에서:
r=s2+R2,sinθ=sin(π−θ)=s2+R2R
대입하면 적분 변수가 s 하나로 정리된다:
B=2πμ0i∫0∞(s2+R2)3/2R ds
유도: 직선 도선 (3) — 적분 계산
치환 s=Rtanϕ 로 얻어지는 표준 적분 공식을 쓴다:
∫(s2+R2)3/2ds=R2s2+R2s+C
(우변을 미분해 보면 확인된다.) 극한값을 대입하면:
B=2πμ0iR[R2s2+R2s]0∞=2πμ0iR(R21−0)
B=2πRμ0i
s→∞에서 s2+R2s→1 이므로 괄호 안은 1/R2이 된다.
반무한 직선 도선
방금 본 것처럼 위쪽 절반(반무한 도선)의 기여는 전체의 절반이다. 즉 도선의 한쪽 끝 에서 수직 거리 R인 점에서는:
B=4πRμ0i(반무한 직선 도선)
직선 도선 결과의 물리적 의미:
- B∝i : 전류가 셀수록 강한 자기장
- B∝1/R : 거리에 반비례 (점전하의 1/r2과 다르다!)
- 무한히 긴 "선" 원천이므로 거리 의존성이 완만해진다 (무한 선전하의 전기장 E=λ/2πε0r과 같은 구조)
예제 1: 고압 송전선 아래의 자기장
전류 i=500 A가 흐르는 송전선이 지상 h=10 m 높이에 있다. 바로 아래 지면에서의 자기장 크기를 구하라.
직선 도선 공식에 대입하면:
B=2πhμ0i=2π(10)(4π×10−7)(500)
4π/2π=2 이므로:
B=102×10−7×500=1.0×10−5 T=10 μT
한국에서 지구 자기장은 약 50 μT이다. 대전류 송전선 바로 아래에서도 지구 자기장의 1/5 수준 에 불과하다.
원호 중심의 자기장 — 설정
이번에는 반지름 R, 중심각 ϕ인 원호(circular arc) 모양 도선이 중심 C에 만드는 자기장이다.
원호 위 어디서나 :
- ds⊥r^ 이므로 sinθ=sin90°=1
- 요소에서 중심까지 거리는 항상 r=R
dB=4πμ0R2idssin90°=4πμ0R2ids
원호 중심의 자기장 — 적분
모든 요소의 dB가 같은 방향(그림에서는 지면 밖 ⊙)이므로 크기만 더한다. 호의 길이 대신 각도로 표현하기 위해 ds=Rdϕ 를 대입:
B=∫dB=∫0ϕ4πμ0R2iRdϕ=4πRμ0i∫0ϕdϕ
B=4πRμ0iϕ(원호의 중심에서, ϕ는 라디안)
완전한 원(ϕ=2π)이면:
B=4πRμ0i(2π)=2Rμ0i(원형 고리의 중심)
주의: 이 공식은 곡률 중심에서만 성립하고, ϕ는 반드시 라디안 으로 넣는다.
예제 2: 반원 회로의 중심 자기장
전류 i=10 A가 흐르는 회로가 반지름 R=5.0 cm인 반원 과, 중심 C를 향해 곧게 뻗은 두 개의 직선 구간 으로 되어 있다. C에서의 자기장은?
직선 구간의 기여 : 전류 방향 ds가 C를 향하는 지름 방향과 나란하다. θ=0° 또는 180°이므로 sinθ=0:
B직선=0
반원의 기여 : ϕ=π를 대입하면:
B=4πRμ0iπ=4Rμ0i=4(0.050)(4π×10−7)(10)=6.3×10−5 T≈63 μT
방향은 오른손 법칙으로: 그림의 전류 방향에 따라 지면 안 또는 밖.
개념 확인: 두 도선 사이의 중점
같은 크기의 전류 i=5.0 A가 흐르는 두 평행 도선이 d=8.0 cm 떨어져 있다. 두 도선의 정중앙에서 각 도선이 만드는 장의 크기는 (r=4.0 cm):
B1=B2=2πrμ0i=0.040(2×10−7)(5.0)=25 μT
자기장은 벡터 이므로 방향이 관건이다 (오른손 법칙으로 각각 판정):
- 두 전류가 같은 방향 : 중점에서 두 장이 서로 반대 방향 → B=0
- 두 전류가 반대 방향 : 중점에서 두 장이 같은 방향 → B=50 μT
여러 전류가 있으면 언제나 벡터 합(중첩 원리) 으로 구한다.
29.2 두 평행 전류 사이의 힘
전류는 서로 힘을 주고받는다
전류는 자기장을 만들고 (29.1), 자기장 속의 전류는 힘을 받는다 (28장). 그러면 나란한 두 전류는 서로 힘을 주고받아야 한다!
일반적인 절차:
도선 b가 받는 힘 = 도선 a가 도선 b 위치에 만드는 자기장 Ba를 먼저 구하고, 그 장 속에서 전류 ib가 받는 힘 Fba=ibL×Ba를 구한다.
거리 d만큼 떨어진 도선 b의 위치에서, 도선 a의 장의 크기는:
Ba=2πdμ0ia
힘의 크기와 방향
도선 b의 길이 L 구간이 받는 힘은 L⊥Ba 이므로:
Fba=ibLBasin90°=2πdμ0Liaib
단위 길이당 힘으로 쓰면 F/L=μ0iaib/2πd.
L×Ba의 방향을 따져 보면 (그림):
평행한 전류는 서로 당기고(인력), 반평행한 전류는 서로 민다(척력).
암페어의 정의, 그리고 레일건
이 힘은 전류의 SI 단위 암페어(ampere) 의 뿌리다.
- 1946년 정의: 1 m 떨어진 두 무한 평행 도선에 같은 전류를 흘렸을 때 단위 길이당 힘이 2×10−7 N/m이 되는 전류가 1 A
- (2019년부터는 기본 전하 e의 값을 고정하는 방식으로 재정의되었다)
같은 원리의 극단적 응용이 레일건(rail gun) 이다:
- 두 평행 레일에 수백만 암페어의 전류 → 레일 사이 강한 자기장
- 전류가 흐르는 발사체가 F=iL×B의 힘으로 가속
- 화약 없이 발사체를 수 km/s까지 가속할 수 있다
예제 3: 두 평행 도선 사이의 힘
두 평행 도선에 각각 i1=i2=10 A의 전류가 같은 방향으로 흐르고, 간격은 d=2.0 cm이다. 단위 길이당 힘을 구하라.
LF=2πdμ0i1i2=2π(0.020)(4π×10−7)(10)(10)
LF=0.020(2×10−7)(100)=1.0×10−3 N/m
같은 방향이므로 인력 이다. 1 m당 겨우 1 mN — 일상적인 전류로는 매우 작은 힘이라 평소에 느끼지 못한다. 하지만 낙뢰나 단락 사고 수준의 대전류에서는 도선을 휘게 할 만큼 커진다.
직선 도선의 자기장 — 전류의 크기·방향을 바꾸며 자기장 벡터장과 두 도선 사이 힘 관찰
29.3 암페어 법칙
대칭성을 쓰는 지름길
전기장에서 임의의 전하 분포는 쿨롱 법칙으로 적분했지만, 대칭성 이 좋으면 가우스 법칙으로 훨씬 쉽게 구했다. 자기장에도 같은 구조가 있다.
| 전기장 | 자기장 | |
|---|---|---|
| 일반 법칙 (적분) | 쿨롱 법칙 | 비오-사바르 법칙 |
| 대칭성 지름길 | 가우스 법칙 | 암페어 법칙 |
| 기준 도형 | 닫힌 곡면 (가우스면) | 닫힌 곡선 (암페어 고리) |
가우스 법칙이 곡면을 뚫는 선속 을 세었다면, 암페어 법칙은 곡선을 따라 도는 순환 을 센다.
암페어 법칙
∮B⋅ds=μ0ienc
- 좌변: 닫힌 곡선인 암페어 고리(Amperian loop) 를 따라 B⋅ds=Bcosθds 를 한 바퀴 적분한 것
- 우변: 고리가 감싸는(둘러싸는) 알짜 전류 ienc
고리는 실제 물체가 아니라 가우스면처럼 마음대로 그리는 수학적 곡선 이다.
부호 규칙과 감싼 전류
적분 방향을 정한 뒤, 감싼 전류의 부호는 오른손 법칙으로 정한다.
오른손 네 손가락을 적분 방향 으로 감으면, 엄지 방향의 전류는 +, 반대 방향은 −.
그림의 경우 (반시계 적분, i1은 ⊙, i2는 ⊗):
ienc=i1−i2
- 고리 밖의 i3: 고리 위 각 점의 B에는 기여하지만, 한 바퀴 적분하면 기여가 정확히 상쇄 되어 우변에 나타나지 않는다
- 적분 결과 B가 음수로 나오면, 가정한 방향과 반대라는 뜻
적용 1: 직선 도선 외부의 장
반지름 R인 긴 직선 도선에 전류 i가 균일하게 흐른다. 도선 밖 (r>R)의 장을 구하자.
- 대칭성: 장의 크기는 축에서 거리 r에만 의존하고, 방향은 동심원의 접선
- 반지름 r인 동심원 을 암페어 고리로 잡고 B 방향으로 적분하면 θ=0:
∮B⋅ds=B∮ds=B(2πr)
감싼 전류는 i 전부이므로:
B(2πr)=μ0i⇒B=2πrμ0i(r≥R)
비오-사바르 법칙으로 힘들게 적분했던 결과가 몇 줄 만에 나온다!
적용 2: 직선 도선 내부의 장
이번에는 도선 안 (r<R)이다. 같은 대칭성으로 반지름 r인 동심원 고리를 잡으면 좌변은 그대로 B(2πr).
차이는 우변이다. 전류가 단면에 균일 하게 퍼져 있으므로, 고리가 감싸는 전류는 넓이에 비례한다:
ienc=iπR2πr2
따라서:
B(2πr)=μ0iR2r2⇒B=(2πR2μ0i)r(r≤R)
내부에서는 B∝r: 중심에서 0이고 표면으로 갈수록 커진다.
도선 안팎의 B(r) 그래프
- 내부: B=(μ0i/2πR2)r — 선형 증가
- 외부: B=μ0i/2πr — 반비례 감소
- 표면 r=R에서 두 식이 만나고, 이때 B가 최대
예제 4: 비균일 전류밀도 (설정)
안쪽 반지름 a=2.0 cm, 바깥 반지름 b=4.0 cm인 긴 도체 원통에 전류가 지면 밖으로 흐른다. 전류밀도는 J=cr2 (c=3.0×106 A/m4)로 비균일 하다. r=3.0 cm인 점의 B는?
- 원통 대칭 → 반지름 r인 동심원을 암페어 고리로 사용
- 전류밀도가 비균일하므로 넓이 비례로는 못 구하고, 적분해야 한다
- 반지름 r′, 두께 dr′인 얇은 고리의 넓이는 dA=2πr′dr′
ienc=∫arJdA=∫arcr′2(2πr′dr′)=2πc∫arr′3dr′
예제 4: 비균일 전류밀도 (계산)
적분을 수행하면:
ienc=2πc[4r′4]ar=2πc(r4−a4)
암페어 법칙 B(2πr)=μ0ienc에 대입:
B=4rμ0c(r4−a4)=4(0.030)(4π×10−7)(3.0×106)[(0.030)4−(0.020)4]
분자의 대괄호는 8.1×10−7−1.6×10−7=6.5×10−7:
B≈2.0×10−5 T=20 μT
29.4 솔레노이드와 토로이드
솔레노이드
도선을 촘촘하게 나선형으로 감은 긴 코일을 솔레노이드(solenoid) 라 한다 (길이 ≫ 지름).
각 감긴 도선(turn)은 자기 주위에 동심원 장을 만들고, 이들이 중첩 되면:
- 내부 : 이웃 도선들의 기여가 축 방향으로 정렬 → 강하고 거의 균일한 장
- 외부 : 위쪽 도선과 아래쪽 도선의 기여가 반대 방향 → 거의 상쇄
이상화한 이상 솔레노이드(ideal solenoid) 에서는 내부는 완전히 균일, 외부는 B=0으로 근사한다.
축 방향은 역시 오른손 법칙: 네 손가락을 감긴 전류 방향으로 감으면 엄지가 내부 B의 방향.
유도: 솔레노이드 내부의 장
직사각형 고리 abcd에 암페어 법칙을 적용하면, 네 구간의 적분은:
∮B⋅ds=a→b (내부, 나란)Bh+b→c (⊥)0+c→d (B=0)0+d→a (⊥)0=Bh
솔레노이드 공식
단위 길이당 감은 수를 n (turns/m)이라 하면, 길이 h 구간에 nh번 감겨 있으므로 고리가 감싸는 전류는:
ienc=i(nh)
암페어 법칙에 대입하면 Bh=μ0inh, 즉:
B=μ0in(이상 솔레노이드 내부)
주목할 점:
- B는 솔레노이드의 지름이나 길이에 무관 하고, 단면 어디서나 같다
- 축전기가 균일한 전기장 을 만들듯, 솔레노이드는 균일한 자기장 을 만드는 실용 장치다
응용: MRI의 초전도 솔레노이드
병원의 MRI(자기공명영상) 장치의 원통형 터널이 바로 거대한 솔레노이드다. 초전도 도선으로 감아 1.5∼3 T의 강하고 균일한 자기장을 만든다 — 지구 자기장의 수만 배 다.
예제 5: 솔레노이드의 자기장
길이 L=50 cm에 도선을 N=1500번 감은 솔레노이드에 전류 i=4.0 A를 흘린다. 내부 자기장은?
먼저 단위 길이당 감은 수:
n=LN=0.501500=3000 turns/m
공식에 대입:
B=μ0in=(4π×10−7)(4.0)(3000)
B≈1.5×10−2 T=15 mT
지구 자기장(∼50 μT)의 약 300배를 책상 위 크기 장치로 만들 수 있다.
토로이드
솔레노이드를 구부려 양 끝을 이어 붙인 도넛 모양 코일이 토로이드(toroid) 다.
대칭성에 의해 자기력선은 관 내부를 도는 동심원 이다. 반지름 r인 원을 암페어 고리로 잡으면 (N = 총 감은 수):
B(2πr)=μ0iN⇒B=2πμ0iNr1
토로이드의 특징과 KSTAR
- 솔레노이드와 달리 내부 장이 균일하지 않다 (B∝1/r: 안쪽일수록 강함)
- 관 밖(구멍 속과 바깥 모두)에서는 B=0 — 자기장이 관 속에 갇힌다
- 이 "가두는" 성질 때문에 핵융합 장치 토카막(tokamak) 이 토로이드 모양이다. 사진은 대전에 있는 한국의 초전도 토카막 KSTAR — 1억 °C의 플라스마를 자기장으로 가둔다
29.5 전류 고리는 자기 쌍극자
복습: 코일이 받는 토크
28장에서 배웠다: 전류 고리(코일)를 외부 자기장에 넣으면 토크를 받는다.
τ=μ×B,μ=NiA
- μ: 자기 쌍극자 모멘트(magnetic dipole moment) , 방향은 오른손 법칙 (손가락을 전류 방향으로 감으면 엄지)
- 막대자석이 나침반처럼 정렬하는 것과 같은 거동
이번에는 반대쪽 질문이다: 전류 고리는 스스로 어떤 자기장을 만드는가?
목표: 고리 축 위의 자기장
반지름 R인 원형 고리에 전류 i가 흐른다. 중심을 지나는 수직 축(z축) 위, 중심에서 거리 z인 점 P의 자기장을 구하자.
B(z)=2(R2+z2)3/2μ0iR2(지금부터 유도)
- 축 위가 아닌 일반적인 점은 대칭성이 부족해 암페어 법칙을 쓸 수 없다 → 비오-사바르 법칙 으로 돌아간다
- 결과의 방향은 축 방향, μ와 같은 방향이다
유도: 고리 축 (1) — 성분 분해
- 고리 위 요소 ds는 r^과 수직(θ=90°)이고, dB는 r^에 수직인 방향
- dB를 축 성분 dB∥과 수직 성분 dB⊥로 나누면, 마주 보는 요소끼리 dB⊥가 상쇄
- 살아남는 것은 축 성분뿐: B=∫dB∥
유도: 고리 축 (2) — 적분
비오-사바르 법칙에서 (sin90°=1):
dB=4πμ0r2ids,dB∥=dBcosα
그림의 기하에서 r=R2+z2, cosα=R/r 이므로:
dB∥=4πr2μ0icosαds=4π(R2+z2)3/2μ0iRds
i, R, z는 모든 요소에 대해 같으므로 상수로 빠져나오고, ∮ds=2πR (둘레):
B=4π(R2+z2)3/2μ0iR(2πR)
고리 축 위의 자기장 — 결과와 검산
B(z)=2(R2+z2)3/2μ0iR2(원형 고리의 축 위)
검산 1 — 중심 (z=0):
B(0)=2R3μ0iR2=2Rμ0i
원호 공식에서 ϕ=2π를 넣은 결과와 정확히 일치한다 ✓
검산 2 — 단위: [μ0i/R]=(T⋅m/A)(A)/m=T ✓
멀리서 본 고리: 쌍극자 근사
축 위 멀리 떨어진 점(z≫R)에서는 R2+z2≈z2이므로:
B(z)≈2z3μ0iR2
πR2=A (고리 넓이)를 쓰고, N번 감은 코일로 확장하면 μ=NiA:
B(z)=2πμ0z3NiA=2πμ0z3μ
B와 μ의 방향이 같으므로 벡터로:
B(z)=2πμ0z3μ(z≫R)
전류 고리 = 자기 쌍극자
전류 고리를 "자기 쌍극자"라 부르는 이유가 완성되었다.
- 외부 자기장 속에서 토크 를 받는다: τ=μ×B
- 스스로 쌍극자형 자기장 을 만든다: B∝μ/z3
전기 쌍극자와 완벽히 평행한 구조다 (22장):
| 전기 쌍극자 | 자기 쌍극자 | |
|---|---|---|
| 모멘트 | p=qd | μ=NiAn^ |
| 축 위의 장 | E=2πε01z3p | B=2πμ0z3μ |
| 외부 장 속 토크 | τ=p×E | τ=μ×B |
고리의 한쪽 면은 N극, 반대쪽 면은 S극처럼 행동한다 — 사실 막대자석의 자기장도 내부 전자들의 미시적 전류 고리에서 나온다.
Review & Summary
핵심 개념
- 비오-사바르 법칙 : 전류 요소 ids가 만드는 자기장. 역제곱 + 벡터곱 → 장은 전류를 감아도는 방향 (오른손 법칙)
- 직선 도선 : B∝i/R, 자기력선은 동심원
- 평행 전류 : 같은 방향이면 인력, 반대 방향이면 척력
- 암페어 법칙 : 고리를 따라 도는 순환 = μ0× 감싼 전류. 대칭성이 좋을 때 지름길
- 솔레노이드/토로이드 : 균일한 장 / 갇힌 장을 만드는 장치
- 전류 고리 = 자기 쌍극자 : 멀리서 B∝μ/z3
핵심 공식
| 상황 | 공식 |
|---|---|
| 비오-사바르 법칙 | dB=4πμ0r2ids×r^, μ0=4π×10−7 T⋅m/A |
| 긴 직선 도선 | B=2πRμ0i (내부: B=2πR2μ0ir) |
| 원호의 중심 | B=4πRμ0iϕ (ϕ는 라디안) |
| 평행 전류의 힘 | F/L=2πdμ0iaib (평행 인력, 반평행 척력) |
| 암페어 법칙 | ∮B⋅ds=μ0ienc |
| 솔레노이드 / 토로이드 | B=μ0in / B=2πrμ0iN |
축 위의 자기 쌍극자: B(z)=2πμ0z3μ (z≫R, μ=NiA)